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产能为王，半导体设备投资报告发布(2)
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摘要：我国企业已实现一定程度的国产替代 。 薄膜沉积设备 薄膜沉积是制造过程中的一个重要环节，通过薄膜沉积工艺可以在晶圆上生长出各种导电薄膜层、介
我国企业已实现一定程度的国产替代。
薄膜沉积设备
薄膜沉积是制造过程中的一个重要环节，通过薄膜沉积工艺可以在晶圆上生长出各种导电薄膜层、介质薄膜层和绝缘薄膜层，为后续工艺打下基础。薄膜沉积设备是三大主设备之一。
根据工作原理不同，薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)三大类，不同类别的技术差异大。随着制程精进，要沉积的层更多，薄膜沉积设备市场空间在不断扩大。
然而，中国薄膜沉积设备领域国产化率仅有2%，98%依赖进口，未来替代空间巨大。
国内厂商中，北方华创和拓荆科技处于领先地位，北方华创CVD、PVD等相关设备已具备28nm工艺水平，拓荆科技CVD和ALD相关设备已成功应用于14nm及以上制程集成电路制造产线，和更先进制程的产品验证测试。
光刻机
光刻技术是指在特定波长的光照作用下，借助光刻胶将掩膜板上的图形转移到基片上的技术，是半导体制造的核心步骤。整个光刻工艺需要用到光刻机、涂胶/显影机、喷胶机、去胶设备等，其中光刻机是整个光刻工艺乃至整个半导体制造工艺中最核心的设备，也是三大主设备之一。
先进制程EUV光刻机销量占比最低，但价格昂贵。2020年全球光刻机销售额达到151亿美元，其中EUV销售额为53.5亿美元，占比排名第一。随着制程的不断下探，其占比会不断提高。
目前，ASML几乎垄断了整个EUV市场，在高端光刻机领域具有绝对领先优势。
国内光刻机已经实现了从0到1——上海微电子的90nm DUV光刻机已通过验收，45nm、28nm光刻机等在研发过程中。
光刻机技术极为复杂，主要涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，生产一台光刻机往往涉及到上千家供应商，因此国产光刻机的核心零部件需和上游厂商共同完成。
目前国内光刻机的投资机会，更多在于核心组件，如双工件台、光源系统、曝光系统、浸没系统、物镜系统、光栅系统，以及配套设施，比如光刻胶、光刻气体、掩膜板、缺陷检测、涂胶显影等。
涂胶显影设备
涂胶显影设备是光刻工艺中的设备，包括涂胶机、喷胶机和显影机等，作用于光刻的输入和输出环节，具体包括在曝光前涂胶机进行光刻胶涂覆，以及在曝光后显影机进行显影。这些均由涂胶显影设备与光刻机联机作业。
全球前道涂胶显影设备市场规模2020年为19.05亿美元。涂胶显影设备在前道和后道工艺中均有应用，前道占据95%以上。
目前全球市场主要被东京电子垄断，国内，芯源微产品已在上海华力、长江存储、中芯绍兴、上海积塔等多个客户处有验证和导入。
刻蚀机
最后一个主设备是刻蚀机。刻蚀是半导体电路布局中的重要步骤，它一般用光刻胶的图形作为掩膜，在衬底上去除一定深度的薄膜物质，完成图案从光刻胶到晶圆上的转移。
刻蚀可分为干法和湿法。干法刻蚀在整体市场占比最高，达到90%左右，可分为反应离子刻蚀（CCP、ICP）和反应原子刻蚀；湿刻只占了10%。
全球刻蚀设备市场行业集中度很高。根据Gartner数据，2020年全球干法刻蚀设备市场主要被泛林半导体、东京电子、应用材料三家海外巨头所占据，合计90.24%。 国内厂商处于追赶阶段，全球市场占有率较低，仍有较大的发展空间。
随着工艺制程的不断迭代，刻蚀的步骤不断增加，刻蚀的价值量处在不断提升的过程中。
去胶设备
光刻、刻蚀完成后，还需要在不损坏底层材料和结构的情况下清除各类光刻胶，这需要去胶设备。
去胶设备市场相对较小，2020年全球市场规模为5.38亿美元。这个领域我国已完成绝大部分国产替代，屹唐的干法去胶设备更是世界一流，全球市占率超过30%。在国内则占据90%的市场。
文章来源：《设备监理》 网址: http://www.sbjlzz.cn/zonghexinwen/2021/1106/1581.html